本发明提供一种可达到至少两个稳定的电阻率状态的电阻率切换金属氧化物或氮化物层。
铝热是铝粉，一种金属氧化剂，能产生我们所谓的铝热反应。
经测试后显示，研究中所使用的金属氧化物可重复使用五次，且金属的表面活性并不会被降低。
目前，非贵金属类的过渡金属氧化物催化剂用于CO和烃类的低温氧化受到了广泛关注。
这些微小的半导体把电子注入到金属氧化物薄膜中，或者说把它“敏化”，从而增强太阳能转换。
金属氧化物颗粒优选以含水分散体的形式加入到乳液中。
以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。
一种沟道式金属氧化物半导体元件的制作方法，其特征在于包括：提供一基板；
将半导体氧化层与金属氧化物层转化成一第一介电层。
本发明提供了一种互补金属氧化物半导体（CMOS）装置及其制造方法。
在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。
介绍了金属氧化物避雷器的优点、要参数及其配套于组合式变压器的选用原则和安装方式。
在另一实施方案中，至少一种金属化合物是金属氧化物化合物。
金氧半结构是一种存在于CMOS（互补式金氧半导体）制程中的基本的型式。
催化剂以过渡金属氧化物和稀土氧化物构成，催化剂成本低。
他们在另一篇文章中给出关于金属氧化物半导体电学特性对压强的依赖关系的研究结果。
该金属氧化物层起保护层的作用，以防止因离子轰击而破坏该磷光体。
金属与氧之间的键的性质决定了它们（金属氧化物）与水之间反应速率。
该系统包括金属氧化物覆盖（二氧化锡）微型热板、必要的驱动器及信号调节电路。
双极（硅锗），金属氧化物半导体（MOS），及化合物半导体技术进行了讨论。
作为金属氧化物，优选使用氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等。
本发明是可用于纯化来自燃烧工艺的尾气和废气的金属氧化物催化剂的制备方法。
掺杂和量子点敏化都增强了金属氧化物材料对可见光的吸收。
本发明提出一种集成电路及金属氧化物半导体元件中判断漏电流的方法。
催化剂组成为过渡金属氧化物负载于活性炭，氧化铝，氧化硅，硅藻土及分子筛上。
在各种气体中用激发物激光辐照去除不锈钢和碳钢表面形成的金属氧化物层…[中国核科技信息与经济研究院]。
浆料的制备是采用丝网印刷工艺制备金属氧化物半导体气敏传感器过程中的关键。
通过气体吸附在金属氧化物半导体的表面，测定半导体电传导度的变化反映气体浓度。