本文介绍了一种环路反馈式场效应管介质稳频振荡器。
当进给速度较大时提高线速度对单晶砷化镓片的表面粗糙度影响不大。
简要介绍了实时延迟线电路的基本概念,对电路设计流程进行了阐述。
介绍了一种利用砷化镓霍尔元件设计的微型霍尔电流传感器。
随着CMOS工艺的不断进步,CMOS射频工艺和传统的射频工艺如双极型工艺、GaAs工艺等有了可比性。
增长材料温度低、24日慢慢恢复组件中观测到的?。
当进给速度较小时,提高切割的线速度可以显著提高单晶砷化镓片的表面粗糙度;
市售GaAs外延层的质量相当高,故其材料和界面起伏引起的损耗可忽略不计。
GaAs基长波长量子点激光器增益和阈值电流密度的理论分析
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GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展
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