第一外延层被布置在衬底之上并且被掺杂为也具有第一导电类型。
进行的高温热退火实验证明获得的织构在一定的条件下是稳定的，可以用于外延薄膜的生长；
本发明提供一外延沉积工艺，其包含干式蚀刻工艺与后续的外延沉积工艺。
如此的改善可归因于在横向长磊晶层的区域缺陷密度减少造成的结果。
光收集区域收集光生电荷载流子并被布置在第二外延层内。
以原子层-分子束方法磊晶（ALE-MBE）成长锑化镓，可成长出较高的薄膜品质，同时可准确的控制量子点的成长厚度。
第二外延层被布置在收集器层上并且被掺杂为具有第一导电类型。
测试结果表明，利用所采用的外延生长结构制备APD器件，具有可行性。
据信是源于一个更大的内在缺陷密度磊晶成长过程中产生。
采用大气下火焰法进行了金刚石单晶膜的同质外延实验。
通过对外延生长过程的研究，提出了改进外延生长工艺的措施。
X射线衍射，扫描电子显微镜，X射线光电子能借测量表明生长的BNN膜是外延单晶膜。
外延沉积接着用以形成一外延层于该外延表面上。
并简单描述数形结合发展的外延。
通过使用HVPE的外延横向过生长实现连续的化合物半导体厚膜（15）或晶片的进一步的生长。
我市已具备组装加工半导体发光二极管能力，可以考虑在此基础上引进技术和设备进行外延片和管芯的生产。
在LED生产过程中，主要有外延片生长、芯片和封装三个环节。
一个复杂因素是薄膜为应变和单晶的，几乎没有任何缺陷。
四探针法用在非常薄的样品，例如外延晶圆片和导电涂层上。
硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
市售GaAs外延层的质量相当高，故其材料和界面起伏引起的损耗可忽略不计。
含掺杂物离子的气体的流量根据外延生长期间的线性斜坡变化；
该制程包括下列步骤：外延层与厚硅衬底结合的步骤；
无机半导体材料的检验。用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度
硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究
半导体工艺材料的检验.硅晶体外延层中缺陷种类和缺陷密度测定
不同衬底温度下ZnO外延薄膜的结构及光学特性分析
求解外延膜多尺度应变模型的代数多重网格法