美国卡着不让荷兰阿斯麦把最先进极紫外光刻机卖给中国，中科院微电子研究所这边没闲着。资深研究者叶甜春演讲里说，用较老深紫外光刻设备，做出了堆叠纳米片沟道环栅互补金属氧化物半导体晶体管的早期集成，这事是台湾《电子时报》报出来的。
为啥老设备还有戏？晶体管像水龙头，阀门叫栅极，水管叫沟道。原来三面抱沟道，现在环栅是把沟道全包住，漏电流更好压住。靠调纳米片宽度和层数，在不怎么加面积的情况下补性能，不是让深紫外变成极紫外，是用立体结构找活路。
报道里说开关电流比超50万，就是开态电流比关态漏电流。但这数只看开关清不清，不说速度快不快、电压高不高。网上传每平方毫米1.378亿晶体管，不是中科院也不是中芯国际发的，是社交号拿假设算的，不能信。后段接触孔和底层金属线缩不下来，电阻和延时就上来，行家看这路线现在更像5纳米级，不是真3纳米。
商用3纳米是功耗、性能、面积加良率的一张成绩单。三星2022年说自家3纳米环栅比5纳米省电最多45%、性能提23%、面积小16%。中科院目前公开信息还停在器件特性这一步，环形振荡器、静态随机存取存储器、标准单元这些还没见数。
我觉得这成果不是吹牛，也不是翻身。它证明没极紫外也能趟路，但离晶圆厂跑出客户芯片还差几道坎。接下来得看同条件测的功耗性能面积，还有良率。别被3纳米仨字带跑，老设备挖潜是真价值，量产能力不能瞎认。高端芯片光刻机 光刻产业链 美国禁售光刻机 EUV光刻设备 光刻赛道企业 非金属光刻机 uv光刻机 中光刻机 紫外直写光刻机 步进式光刻机 步进光刻机 ASML光刻气 半导体光刻测试 高端芯片光刻 微纳米光刻