2026年10月10日，第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇对外公布重磅进展：长鑫存储在4F² DRAM架构研发实现关键突破，融合这项新技术的新一代DDR5 RDIMM服务器内存产品，预计将于2026年底正式亮相 。


很多人不理解4F²到底是什么。当前全球DRAM行业主流采用6F²架构，F代表芯片制造最小特征尺寸。6F²，代表单个存储单元占用6倍最小特征尺寸平方的面积；而4F²架构，单个存储单元面积直接压缩，相比6F²单元面积缩减约33%，同一块晶圆上可以做出更多存储单元，存储密度大幅提升。

这次突破的核心，来自长鑫自研VSG垂直包围沟道晶体管。传统水平晶体管，在制程不断缩小之后，很容易出现漏电、短沟道效应，导致内存稳定性变差。VSG采用垂直环绕式结构，栅极从四周包裹沟道，栅控能力更强，有效抑制漏电，解决微缩工艺上的核心瓶颈，是实现4F²架构落地的底层根基 。

从6F²到4F²不是简单的工艺微调，而是晶体管布局从水平转向垂直的底层变革，旧的设计、产线工艺都不能直接复用，整套流程需要重新研发。长鑫从创立之初就布局4F²技术，目前公开相关专利族超过300件；早在2021年就发布国内第一篇4F²架构学术论文，多年持续迭代打磨，才有今天的技术成果 。


本次年底将要推出的DDR5 RDIMM，定位高端服务器市场。服务器内存要求严苛，需要支持7×24小时不间断运行，承受热插拔瞬间电压冲击，兼容不同品牌CPU与主板，还要保证高速传输下信号稳定不丢码，是存储领域难度很高的赛道。

AI大模型、算力集群爆发，服务器内存需求持续暴涨，DRAM芯片已经成为算力基础设施的核心部件。过去高端服务器DRAM市场长期被海外巨头垄断，长鑫4F²架构以及配套DDR5 RDIMM产品落地，意味着国产存储正式冲击高端服务器内存赛道，补齐国内算力底层存储短板。


当然，技术官宣突破不等于马上大规模量产。年底亮相更多是新品发布，后续还要经过长时间可靠性验证、客户导入测试，距离大规模商用还有一段路程。但不可否认，4F²架构的突破，代表国产DRAM在底层架构创新层面跟上全球前沿赛道，不再单纯追赶海外旧工艺。

业内分析，存储芯片是数字产业的基石。长鑫4F²架构如果顺利落地，未来不仅用于服务器，后续还有机会向PC、AI加速卡等场景延伸，进一步增强国内存储供应链自主可控能力。