先进模集 | Ch.2 MOS器件物理
最近在上胡诣哲老师的模集课，打算按章节整理一下笔记，也记下自己的一些理解。
这一章对我最有启发的，是分析 MOS 时可以直接看电流怎样随端口电压变化，不必每次都把小信号等效电路重新画一遍。以低频、饱和区的 NMOS 为例：
id = gm × vgs + gmb × vbs + vds / ro
栅源电压通过跨导影响电流，体源电压通过体效应影响电流，漏源电压则通过沟道长度调制影响电流。所谓“三股电流”，其实是同一漏极电流增量的三项贡献。gm、gmb 和 1/ro，描述的就是工作点附近，电流对这些电压变化的敏感程度。
理解以后，就可以在原电路上直接看电流流向列式计算了。
另外记一下：PMOS 的 N 阱结构便于将体端与源极相连；两者相连时，体源电压为零，可以忽略体效应项。

课程 Razavi，《模拟 CMOS 集成电路设计》，第 2 章

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