美光科技宣布将美国本土投资总额上调500亿美元至超2500亿美元，纽约项目建设提前一个季度。AI需求导致1片HBM挤占2.5至3片常规DDR5产能，预计2026年三大原厂HBM晶圆投入占比升至22%。
结构性挤出引发全球存储原厂史诗级扩产，美光2026财年资本开支预计超250亿美元，同比增80%以上。同期，长鑫科技拟募资约300亿元启动IPO，当前产能利用率达96%，预计2026年底年化产能达420万片，全球市占率有望从11%升至17%。在海外扩产与国产替代共振下，产业链投资逻辑从预期博弈切换至订单兑现，直接拉动前端洁净室工程及薄膜沉积设备需求，催化相关供应链企业获国际订单，迎来业绩与估值双升。
关注：美埃科技/亚翔集成/圣晖集成/柏诚股份/深桑达A（洁净室工程及系统，受益于美光与长鑫史诗级扩产拉动前端建厂），北方华创/拓荆科技/中微公司（半导体前道设备，受益于存储产线建设及本土工艺渗透），中芯国际/汇成股份（晶圆制造与封测，受益于长鑫等本土产能爆发及订单溢出）