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2026年7月全球半导体扩产整体所处阶段整体处于第二梯队设备整机交付高峰 + 第三梯队耗材同步放量并行期，分层拆解：一、海外（美国、韩国、中国台湾）扩产进度1. 美国CHIPS法案晶圆厂- 已量产：台积电亚利桑那4nm、英特尔Arizona 18A先进逻辑；

- 当前阶段：土建收尾+大规模设备搬入调试（9–24个月周期中段），N3/N2新厂房持续招标设备；

- 进度：设备订单饱满，高端EUV交付排期3年，设备零部件、洁净室配套持续兑现业绩。2. 韩国三星/海力士存储超级扩产10年万亿级资本开支，新建4座存储超级工厂，集中设备进厂阶段；HBM配套靶材、电子特气、硅片需求同步爆发，耗材进入稳定放量期（15个月起量）。

3. 台积电台湾2nm/3nm、CoWoS先进封装厂房设备持续进场，现有成熟/先进产线满产爬坡；晶圆代工、先进封装逐步兑现利润（20–36个月后半段）。二、中国大陆晶圆扩产进度1. 成熟制程（28/40nm功率、CIS、模拟）：晶合、芯联、士兰集华等新项目土建完工，2026Q4集中设备搬入，即将进入设备兑现高峰；

2. 存储（长存、长鑫）：四期厂房启动设备招标，处于设备订单前置阶段；

3. 先进制程（中芯7nm）：现有产线持续爬坡，耗材稳定消耗；新建厂房土建阶段。国内同步叠加国产设备、硅片、靶材、电子特气导入验证，耗材放量速度持续提升。三、全产业链各环节当前景气兑现状态（对应之前简化时序）1. 洁净室/高纯管路（0–12个月）：阶段性尾声，存量厂房建设收尾，新增订单边际放缓；

2. 设备核心零部件（0–18个月）：持续紧缺涨价，业绩高增，设备厂备货需求全年旺盛；

3. 半导体整机设备（9–24个月）：当前全产业链核心景气主线，全球设备市场同比+28%，订单锁至2027年，刻蚀/沉积/清洗设备收入集中释放；

4. 电子特气、硅片（15个月起量）：量价齐升，六氟化钨、高端硅片持续涨价，耗材景气贯穿全年；

5. 靶材、湿化学品/CMP抛光液（18个月后放量）：产线爬坡带动稳定复购，业绩稳步上行；

6. 光刻胶（20个月兑现）：逐步导入量产线，封装光刻胶放量快于前道ArF；

7. 晶圆代工、先进封测（20–36个月）：现有老厂满产盈利；新建厂房尚需1–2年才大规模贡献产能；

8. 芯片设计（28–36个月末端）：受益现有成熟产能，新建产线短期无法增量