阿斯麦CEO曾表示：中国光刻机技术落后10-15年，如果没有我们的EUV极紫外刻帮助，中国几乎不能造出来3-5nm工艺，同时表示断供EUV，就是为了防止中国获得先进技术。

在全球半导体设备产业链中，ASML及其EUV光刻系统长期被视为最关键的“分水岭技术”。围绕EUV是否出口、如何出口，以及出口限制会带来什么影响，不仅是企业商业选择问题，更与多国政策博弈紧密交织。

从公开采访记录来看，时任ASML首席执行官彼得·温宁克在2023年前后多次提及中国大陆与先进光刻技术之间的差距问题。他在接受媒体采访时指出，中国在光刻机整体技术体系上，与全球领先水平存在约10到15年的差距，并且这种差距主要集中在极紫外光刻，也就是EUV技术领域。
EUV光刻机的作用，在于利用极短波长光源实现更精细的芯片线路刻蚀，是进入3纳米到5纳米制程阶段的重要基础设备。在这一点上，温宁克的判断比较直接，他认为如果缺少EUV设备支撑，先进制程在工业化量产层面将面临较大困难。这种说法本质上强调的并不是单一机器，而是整个制造体系对核心设备的高度依赖。

他在访谈中还提到一个更具争议性的内容，即EUV设备的出口限制并非单纯市场行为，而是带有明确政策目的，其逻辑是通过控制关键设备出口来限制先进半导体制造能力的扩散。这一观点将技术问题与国际科技管控直接联系起来，也反映出当时全球高端芯片设备管制逐步收紧的趋势。
不过，围绕这一判断的背景，并不是某一次采访临时形成，而是长期政策演变的结果。早在2019年前后，在美国推动下，荷兰政府逐步收紧对EUV设备出口许可的审批，ASML事实上停止了对中国大陆的EUV设备交付路径。这一限制后来逐步扩展到部分DUV高端机型，使出口管制范围不断扩大。

在这种外部约束持续加强的情况下，中国大陆半导体制造企业转向以现有设备体系进行工艺延伸，其中以DUV浸润式光刻机配合多重曝光工艺最具代表性。这一路径在2023年进入公众视野，当时华为推出的Mate 60 Pro搭载麒麟9000S芯片，引发外界关注。第三方机构TechInsights在拆解后认为，该芯片由中芯国际采用DUV工艺叠加工艺方案实现接近7纳米水平的制造能力。

需要注意的是，这种工艺路线与EUV路线在本质上并不相同。EUV通过单次曝光实现高精度图形转移，而DUV多重曝光则依赖多次叠加来“模拟”更先进制程能力。由此带来的结果是工艺步骤显著增加，生产周期变长，同时对良率控制提出更高要求。在部分行业分析中，这类工艺的综合效率与EUV路线相比存在明显差距，但在缺乏EUV设备的条件下，它仍然是一种可行的替代路径。

在设备国产化方面，中国也在推进另一条并行路线。例如2025年前后有关国产28纳米浸没式DUV光刻机的进展受到关注，该类设备主要面向成熟制程市场，但在工艺组合优化下，也可为更先进制程提供一定技术支撑。不过，从技术代际来看，这仍然属于DUV体系的延伸，并不等同于EUV突破。

从产业结构角度看，ASML的市场数据也提供了一个侧面视角。中国大陆长期是其重要市场之一，在部分年份占其收入比重超过三成，这意味着在出口管制持续推进的同时，企业商业利益与政策执行之间始终存在现实张力。

2024年以后，随着管理层更替，现任CEO Christophe Fouquet延续了类似判断框架。他在公开表述中仍然认为，由于EUV设备无法进入中国大陆市场，先进制程在时间维度上仍存在明显差距，同时强调半导体制造不仅是设备问题，更涉及长期研发积累与系统工程能力。

但如果把时间线拉长来看，现实演变并未完全沿着单一预测路径展开。一方面，EUV仍然是当前3纳米及以下制程的核心基础设备，这一点在全球产业中仍未被替代；另一方面，在受限环境下，围绕DUV体系的工艺创新和国产设备推进正在形成新的技术路径组合。

换句话说，差距依然存在，但产业演进并没有停止，而是在不同约束条件下重新分化路径。
从这一角度看，温宁克当年的判断更多是一种基于EUV中心地位的产业推演，而实际发展则呈现出更复杂的并行结构：一条是以EUV为核心的高端制程主线，另一条是在限制条件下不断优化的替代工艺体系。