三星、SK海力士和美光6月25日在美国加利福尼亚联邦法院被提起集体诉讼，被控合谋操纵DRAM价格，制造了所谓的“内存末日”。

原告约翰·特里诺代表近年来购买含传统DRAM产品的消费者和企业提起诉讼，指控三家公司利用在全球DRAM市场的主导地位，以向HBM转型为借口，协同削减DDR3和DDR4等传统内存的产量，人为制造供应短缺。

诉讼的核心逻辑在于HBM对传统DRAM产能的挤压效应，HBM内存芯片在物理尺寸上远大于标准DDR芯片，单颗HBM3E DRAM芯片的面积约为DDR芯片的两倍，这意味着每生产一颗HBM芯片就要消耗两倍的晶圆面积。

2026年HBM预计将占全球DRAM晶圆产能的约25%，而HBM需求正以每年约70%的速度增长。尽管全球DRAM晶圆总产能2026年预计增长14%，但分配给传统DRAM的产能仅增长10%，这一剪刀差直接导致了消费级内存的供应缺口。