“光刻机没有一个国家可以做得到，美国都造不出，中国根本做不到！”“中国永远都造不出光刻机？”前年，中国物理学教授朱士尧在一次采访中直言：“美国都造不出，中国永远也造不出来！”甚至认为世界上没有一个国家能造出光刻机。 2024年访谈里，朱士尧直言光刻机不是哪个国家单干就能成的，美国试过建自主产业链，但成本太高，技术凑不齐，只能放弃。他强调，顶尖极紫外光刻机重180吨，包含十万个零件，得靠全球供应链协作。荷兰阿斯麦公司只掌控少部分核心，其余依赖五千多家供应商，美国供激光光源，德国蔡司做反射镜，日本负责光刻胶和其他材料，还有精密机械和软件来自多国。他见过实验室复杂设备，但光刻机不同，需要各国顶尖技术融合。这基于产业分工规律，不是否定特定国家实力。如果忽略协作现实，就容易误入歧途。尊重规律，才能找准方向。中国要参与，得从中低端入手，逐步积累经验。阿斯麦成功在于协调能力，不是全自产。中国类似，得构建自身链条。 朱士尧的论断引发热议，有人觉得唱衰中国科技，但更多人看到这是对全球协作的提醒，避免盲目乐观。高端制造靠分工，不是闭门造车。 访谈后，中国半导体行业没停步。上海微电子公司在2024到2025年交付28纳米浸没式光刻机，国产化率达85%，在光源和双工件台上取得突破，能覆盖全球七成芯片需求。2025年，他们中标步进扫描式光刻机订单，金额1.1亿元。极紫外技术方面，哈尔滨工业大学团队开发放电等离子体光源样机，长春光机所攻克光学镜面加工。新凯来企业展示自主设备，新规下荷兰加严管控，但中国企业加速替代。2025年第三季度，国产极紫外光刻机进入试生产，使用激光诱导技术，目标量产。进口金额虽高，但国产份额提升，市场占比达15%。 这些进展显示，中国从中低端切入，逐步向上突破，立足自身市场和工业体系，构建自主供应链。 这些子系统突破，如拼图碎片，为整机集成奠基。中国策略依托最大半导体消费市场，先解决有没有，再攻克好不好。 全球光刻机出货量逐季攀升，2024年第四季度209台创单季新高。ASML计划2025到2026年达90台EUV加600台DUV。中国大陆占ASML销售额41%，但设备使用率65%，需求将下滑。中国采购集中28纳米以上成熟制程，ASML增长引擎却是先进EUV，这种错配限制市场价值。国产光刻机份额低，但14纳米已量产，7纳米以下靠进口。光源、双工件台有突破，整机集成短板仍存。 中国半导体进入主动替代阶段，2025年上半年国产化率35%，预计年底50%。中微5纳米刻蚀进入台积电供应链，盛美清洗全球市占超6%。成熟制程需求旺盛，汽车电子、物联网拉动。中芯国际12英寸产能新增，华虹扩产激进。存储芯片复苏，长江存储DDR5即将大规模出货，自给率从15%升至25%。 中国EUV研发始于1966年，2008年“02专项”启动体系攻关。产业链持续突破，2016年上海微电子90纳米商业化，2020年华卓精科双工件台量产打破垄断，2025年哈工大13.5纳米EUV光源、中科院深紫外突破，工艺验证至3纳米。大基金三期3440亿元列光刻机为重点，通过资本政策协同推动自主化。2026年，28纳米年产能超百台，良率82%，国产化90%，进入中芯验证。中微5纳米刻蚀进入台积电，盛美清洗全球市占超6%。2030年自给率超50%，实现大部分国产替代。 中国半导体设备市场需求强劲，下游晶圆厂扩产。中芯国际产能达117万片/月，华虹从39.1万片升至44.7万片。存储设备市场2025年增长42.5%，达137亿美元，2026年再增9.7%。长鑫存储DDR5通过验证，四季度自给率从15%升25%。AI需求激增，5纳米以下产能2024年增13%，2025年17%。成熟制程在功率器件、传感器应用广，随着新能源汽车、工业自动化发展，需求稳定增长。国产替代加速，2024年自给率15%，2025年上半年超25%，年底30%。2030年超50%，7纳米以下设备市场达65亿美元，提供巨大替代空间。 朱士尧的论断基于对全球分工的认知，但中国实践在回应与超越。它证明在理解全球生态基础上，利用市场规模、工业体系和研发投入，从基座向上攀登。这条路不是封闭自力更生，而在技术交流竞争中强化核心环节，扩大自主版图。