【报道：SK海力士正探索HBM4新封装技术，剑指英伟达顶级性能目标】核心措施包括增加DRAM芯片厚度以及缩小DRAM层间距，目前该技术正处于验证阶段。若成功实现商业化，这一方案有望帮助SK海力士达成英伟达对第六代HBM4设定的顶级性能指标，并为后续产品的性能提升奠定基础。 网页链接 (来自