三菱材料公司于8月21日宣布，已经开发出一种用于半导体先进封装工艺中放置半导体芯片的载体基板。这种方形硅基板具有高平坦度和低表面粗糙度，尺寸最大可达600mm。

圆形基板和方形基板的对比

在将多个半导体芯片（如芯粒）集成到一个封装中以提高性能的情况下，半导体封装工艺中常使用300mm晶圆等作为载体基板，这种工艺称为晶圆级封装（WLP）。然而，由于晶圆是圆形的，且封装尺寸已扩大至约100mm见方，导致载体基板上可容纳的芯片数量受到限制，面临一些挑战。

半导体芯片在载体基板上的搭载示意图。通过方形化和基板尺寸的扩大，可以增加可容纳的芯片数量

为了解决这一问题，正在探讨使用方形的“方形化硅基板”。三菱材料公司基于这一需求，结合公司集团积累的大型硅锭铸造技术和独特的加工技术，开发出了大面积的方形硅基板。该公司表示，这种基板除了可作为后续工艺中的载体基板外，还有望在先进的半导体封装中作为中介层使用。

此外，该公司还确认，将此次开发的方形硅基板用于利用玻璃面板等实现载体基板大型化的面板级封装时，可以抑制玻璃材料因低刚性和低热导率在形成重新布线层（RDL）时加热过程中的偏热和热收缩引起的翘曲问题。他们计划充分利用硅的高刚性和高热导率等特性，推动其在广泛的半导体领域中应用。

粉体圈Coco编译

来源：360powder.com

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