成果介绍

对于二维(2D)层状材料异质结，能带对齐的动态调制允许设计具有灵活多功能应用的器件。

有鉴于此，近日，中南大学钟绵增副教授，何军教授和中科院半导体所魏钟鸣研究员（共同通讯作者）等合作提出了一种基于MoTe2/SnSe2场效应晶体管的器件结构。通过对静电栅极施加偏置电压，栅极电压由负调整为正，使异质结从III型能带对齐转变为II型能带对齐。本文研究了具有不同能带对齐的异质结的工作机理和器件性能。

该器件具有良好的探测范围(从紫外到红外)、探测率(2.42×109 Jones)和速度(1.3 ms)。在正栅极电压下，实现了更高的光电流与暗电流之比(2×103)。为了进一步展示高性能器件备的潜力，本文通过在使用深度学习的图像识别中的表现证实了它们的可靠性。

图文导读

图1. MoTe2/SnSe2异质结的晶体结构。

图2. 电输运特性。

图3. Vg=0 V时异质结光电探测器的光电表征。

图4. 光传输特性。

图5. 器件应用。

文献信息

Dynamic Band-Alignment Modulation in MoTe2/SnSe2 Heterostructure for High Performance Photodetector

（Adv. Optical Mater., 2024, DOI:10.1002/adom.202303088）