众所周知，半导体制程很大程度上影响芯片的功耗、性能和能效比，台积电是当前世界上芯片代工技术最先进的半导体制造厂商，其主要代工厂在台湾，最先进的3nm和2nm制程都是先在台湾研发和量产，另外台积电在台湾、美国、日本、中国大陆也有制造工厂，其中在日本和美国的是7nm以下的先进制程，在中国大陆的南京工厂为28nm制程；而华为则是国内最先进的芯片制造技术的代表。

当前台积电已经量产3nm，华为则是7nm，有两代的制程差距。

按照台积电发布的工艺演进趋势，台积电将在2025~2026年量产2nm制程，2028年有望量产1.4nm制程，2030年达到1nm制程。

华为：

kirin9000s已经采用7nm，基于国内已经买到的duv光刻机型号，最高可以做到5nm，预计将用于今年秋季发布的mate70搭载的kirin9100芯片上。

而国内未来的工艺演进则存在较大的不确定性，关键瓶颈是国产光刻机的进度，按照业内人士预估2028年国内预计可以突破EUV光刻机，那么华为最快也要在2028年才能有3nm及更先进的工艺。

因此，3年内，今年秋天的5nm工艺将是华为距离台积电工艺最接近的一次，只有一代的差距，2025年拉大到2代，2027年可能差距3代；3年后，如果国产euv光刻机可以按时突破，则有望再次开启追赶的脚步，相信2028年之后国产半导体可以真正突破所有的瓶颈，在2030年左右和台积电同步达到1nm工艺水平。

国产加油！