直拉法是在半导体领域中应用最广,产量最大的单晶制备方法。
硫酸钙晶须为二水硫酸钙、半水硫酸钙或无水硫酸钙的纤维状单晶体;
用X-射线单晶衍射测定了该化合物的晶体结构;
本发明涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置。
分析讨论的结果可供设计MCZ单晶炉的磁场发生装置时参考。
该装置是专门用于生长掺镓硅单晶热场装置。
钼单晶是一种广泛应用的重要的难熔金属材料。
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