在今年3月的一次技术会议上，三星电子表示，预计将在本世纪末大规模生产3D DRAM。SK海力士在HBM的成功鼓舞下，最近报告称，3D DRAM的产量占其产量的56%处于试生产阶段。
图片来源：SK海力士
回想一下，传统解释中高速计算领域使用的HBM内存具有2.5D布局，而成熟的三维布局应该由3D DRAM内存提供，目前由所有三大RAM制造商开发：三星电子，SK海力士和美光科技。
据Business Korea报道，SK海力士上周在VLSI 2024研讨会上宣布了3D DRAM开发的中期进展。该公司已经可以生产出良率为56.1%的五层芯片，这对于新型半导体产品生产的早期阶段来说已经是相当可观的了。如前所述，3D DRAM原型的特性通常不逊色于传统平面布局的芯片。
当然，要为大规模生产3D DRAM创造条件，还有很多工作要做。根据SK海力士的代表的说法，这种存储器的现有样品在性能方面并不稳定，并且就大规模生产的适用性而言，指望创建层数从32到192的存储芯片是有意义的。
