近日，半导体公司NEO Semiconductor宣布推出3D X-AI芯片技术，旨在取代现有DRAM芯片，以提升人工智能处理性能并大幅降低能耗。该技术集成了8000个神经元电路，并直接在3D DRAM中执行AI任务，实现了AI性能的显著加速，达到100倍。

这项创新性的技术不仅能够大幅度减少数据传输需求，使得功耗降低了99%，有效解决了数据总线的功耗和发热问题。同时，NEO Semiconductor的3D X-AI芯片还带来了8倍的内存密度。每个3D X-AI芯片包含300个DRAM层，支持运行更大规模的AI模型。

据NEO Semiconductor估计，单个3D X-AI芯片可支持高达10 TB/s的AI处理吞吐量，而使用12个芯片堆叠封装则可实现120 TB/s的处理吞吐量，性能提升令人瞩目。

NEO Semiconductor的创始人兼首席执行官Andy Hsu表示：“当前的AI芯片由于架构和技术效率低下而浪费了大量性能和功耗。3D X-AI芯片技术的推出，正是为了打破这一现状。我们通过在3D DRAM中集成AI处理能力，实现了数据处理和存储的无缝结合，从而显著提升了性能并降低了功耗。”

行业分析师也对3D X-AI芯片技术给予了高度评价。他们认为，这一技术的应用将加速新兴AI用例的开发，并推动新用例的创造，为AI应用创新开启新时代。随着AI应用程序变得越来越复杂，数据中心面临着越来越大的压力来处理大量数据。3D X-AI芯片技术的出现，为解决这一问题提供了新的可能性，有望成为下一代数据中心的标准组成部分。

然而，新技术的商业化并非一蹴而就。NEO Semiconductor的3D X-AI芯片技术还需要经过严格的测试和验证，以确保其在实际应用中的稳定性和可靠性。同时，与现有硬件和软件生态系统的兼容性也是一个需要解决的问题。