8月22日晚间，中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称“中微公司”）发布了2024年半年度财报，上半年公司实现营业收入34.48亿元，同比增长36.46%；归属于上市公司股东的净利润5.17亿元，同比大跌48.48%；扣除非经常性损益的净利润约 4.83 亿元，较上年同期减少约6.88%。

受净利润下滑影响，23日A股开盘后，中微公司股价便迅速下跌，截至午盘收盘，股价大跌-9.60%，收于125.47元/股，市值779.55亿元。

中微公司表示，上半年公司的等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，CCP 和 ICP 刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率均大幅提升，这推动了公司营收的同比大幅增长。

具体来说，今年上半年中微公司刻蚀设备收入为 26.98 亿元，较上年同期增长约 56.68%，刻蚀设备占营业收入的比重由上年同期的 68.16%提升至本期的 78.26%；MOCVD 设备收入为 1.52亿元，较上年同期减少约 49.04%，主要因为公司在蓝绿光 LED 生产线和 Mini-LED 产业化中保持绝对领先的地位，该终端市场近两年处于下降趋势；公司紧跟 MOCVD 市场发展机遇，积极布局用于碳化硅和氮化钾基功率器件应用的市场，并在 Micro-LED 和其他显示领域的专用MOCVD 设备开发上取得良好进展，已付运和将付运几种 MOCVD 新产品进入市场。此外，公司新产品 LPCVD 设备实现首台销售，收入 0.28 亿元。

从订单来看，2024 年上半年中微公司新增订单 47.0 亿元，同比增长约 40.3%。其中刻蚀设备新增订单 39.4 亿元，同比增速约 50.7%；LPCVD 上半年新增订单 1.68 亿元，新产品开始启动放量。

从产能来看，2024 年上半年中微公司共生产专用设备 833 腔，同比增长约 420%，对应产值约 68.65 亿元，同比增长约 402%，为本年度出货及确认收入打下了较好的基础。

对于上半年公司净利润同比大跌48.48%（减少 4.86 亿元）的原因，中微公司解释称，主要系 2023 年公司出售了持有的部分拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约4.06 亿元，而 2024 年公司并无该项股权处置收益；以及公司上半年主要由于研发总投入增长下扣非后归母净利润较上年同期减少 0.36 亿元。

为尽快补短板，实现赶超，上半年中微公司公司显著加大研发力度。公司目前在研项目涵盖六类设备，20 多个新设备的开发，2024 年上半年公司研发投入 9.70 亿元，较上年同期的 4.60 亿元增加约 5.10 亿元，同比大幅增长 110.84%。

等离子体刻蚀设备研发方面，公司根据技术发展及客户需求，大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发和验证，目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工艺的多款设备已经在客户产线上展开验证。公司针对超高深宽比刻蚀自主开发的具有大功率 400kHz 偏压射频的 PrimoUD-RIE 已经在生产线验证出具有刻蚀≥60:1 深宽比结构的量产能力。同时，公司积极布局超低温刻蚀技术，在超低温静电吸盘和新型刻蚀气体研究上投入大量资源，积极储备更高深宽比结构（≥90:1）刻蚀的前卫技术。多款 ICP 设备在先进逻辑芯片、先进 DRAM 和 3D NAND 产线验证推进顺利并陆续取得客户批量订单。晶圆边缘 Bevel 刻蚀设备完成开发，即将进入客户验证，公司的 TSV 硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用在先进封装和 MEMS 器件生产。

薄膜沉积设备研发方面，公司目前已有多款新型设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户对 CVD/HAR/ALD W 钨设备的验证，取得了客户订单。公司近期已规划多款 CVD 和 ALD 设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。

公司组建的 EPI 设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案,目前公司 EPI 设备已顺利进入客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。

MOCVD 设备研发方面，Micro-LED 应用的专用 MOCVD 设备开发顺利，实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能，已付运样机至国内领先客户开展生产验证；用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，已付运样机至国内领先客户开展验证测试；下一代用于氮化镓功率器件制造的 MOCVD 设备也正在按计划顺利开发中。

编辑：芯智讯-浪客剑