epitaxy

英音[ ˈepɪˌtæksi ] 美音[ ˈepɪˌtæksi ]
外延
常用释义
n. [电子] 外延;[晶体] 取向附生,外延附生

扩展信息

磊晶
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外延
外延(epitaxy)--中国百科网 ... 百度搜索:外延epitaxy) ...
外延生长
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取向附生
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取向生长
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磊晶成长
3.LED产业依其制造过程,大体上可分上游磊晶成长(Epitaxy):主要厂商:晶元、新世纪、璨圆、华上、广镓、洲磊,中游晶粒 …
磊晶术
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分子束外延生长
① 人工晶体的分子束外延生长(Epitaxy)的物理化学过程及结晶生长机制。 ② 分子束外延人工晶体的物理特性,特别是超导特 …

例句

中医医史文献学科目前存在内涵过大,外延不明确;

此方法的优点在于不再需要昂贵的外延和隔离过程。

用激光分子束外延,原子尺度控制的外延生长出多种钙钛矿氧化物薄膜和异质结。

Riber is a world leading supplier of MBE (Molecular Beam Epitaxy) products and services to the compound semiconductor community.

瑞博是一个制造分子束外延设备的公司,其设备在化合物半导体领域处于领先地位。

本文对同质外延碳化硅单晶材料的生长机理和外延生长层的表征方法进行了研究。

外延沉积接着用以形成一外延层于该外延表面上。

Such pit-patterned Si substrates facilitate the formation of ordered GeSi quantum dot by deposition of Ge using molecular beam epitaxy(MBE).

由此制作的坑形图案衬底上用分子束外延系统生长锗硅量子点,可以实现对锗硅量子点成核位置的控制。

单晶,衬底,光电子,薄膜,外延。

加热该基材以蒸发该薄膜且将外延表面裸露。

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等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究

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在衬底上采用分子束外延技术生长氮化铝缓冲层;

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