规程的当中一个被使用在做整体集成电路克服这个问题是石版影印根据光致抗蚀剂。
测试晶圆片-影印过程中用于颗粒计算、量溶解度和检测金属污染的晶圆片。
一种用于为光刻工艺确定参数的方法，所述方法包括：接收布局；
利用一步激光直写灰阶光刻方法制作了具有连续浮雕结构的透射式相位光栅。
无掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割。
采用光学接触式光刻方式，实现了单片集成0。
套准精度-在光刻工艺中转移图形的精度。
用光学传递函数方法说明了透镜阵列消除光刻中衍射误差的原理。
分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响。
第一光刻工艺为第一和第二扩散区形成了第一和第二扩散沟槽开口。
方法：主模版采用光刻方法制备，使用硅作为基片。
首先，采用紫外光刻和化学湿法刻蚀技术在玻璃基片上加工微米深度的微通道；
采用紫外光刻法制得图案化的阳极氧化铝模板。
所述第二光刻工艺的执行独立于所述第一光刻工艺。
振幅分割无掩模激光干涉光刻的实现方法
集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻工艺模拟
原子光刻用超高真空蒸发设备的设计和建立
光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量
波前分割无掩模激光干涉光刻的实现方法
部分相干分数域滤波改善光刻分辨率新方法
采用单步光刻和湿法腐蚀工艺制作高性能衍射微透镜
用灰度曝光技术改善数字光刻图形轮廓
用于大面积周期性图形制造的激光干涉光刻
仿真技术在晶圆制造光刻区派工中的应用
光瞳滤波提高投影光刻成像分辨力研究