对ESD应力下扩散电阻的四个区域：线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了分析。
但也要注意到，经过三年的下跌后，这只是普遍的恢复。
古嘉瓦蒂：DRAM存储产品将在今年迎来很棒的一年，因为这是个快速恢复的年头。
“利率真正的好转对房地产来说是个很大的风险，”黑石公司（Blackstone）的格雷先生说。
新窗口包含“后退”、“前进”和SnapBack按钮的新历史记录。
综上所述，DRAM存储产品业绩会在今年出现良好的回升但是势头慢慢减弱。
我们认为，DRAM存储产品销售收入今年将增长约67%，实现快速的回升。