thermal annealing

热处理
常用释义
热退火：一种材料加工过程，通过加热材料到一定温度，然后缓慢冷却，以改善材料的晶体结构和性能。

扩展信息

热退火
本论文以热退火（Thermal annealing）方式来活化a-plane P极的GaN 。N2与O2做为活化所使用之气体。
加温退火
电器电子专业英语词汇 ... thermal analysis 热分析 thermal annealing 加温退火 thermal blooming 热晕 ...
热处理
电子方面英语词汇整理分... ... dopant concentration 掺杂浓度 thermal annealing 热处理（退火） oxidizing atmosphere 氧化气 …
热退火法
1.5.2 热退火法(thermal annealing) 15 1.5.3 溶剂慢乾法(solvent annealing) 16 1.5.4 薄膜制程中添加结晶促进剂(crystallization ...
热退火处理
电场退火热处理... ... ) annealing treatment 退火热处理 ) thermal annealing 热退火处理 ) furnace annealer 电热炉退火处理机 ...
退火温度
...薄膜的奈米结构，在in-situ 的变温 中，观察退火温度(thermal annealing)对薄膜奈米结构 及结晶结构的影响(图七)。

例句

将热退火过程与水热溶液退火进行了结合，能快速有效地提高晶片的光学性能。

实验结果表明，晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布。

在热退火后，约60%的注入引起的辐射损伤可以得到恢复。

And for spin-coating films on silicon, polymer solvents, annealing vapor, annealing time and thermal annealing were considered.

对于硅基底上的旋涂膜，研究了聚合物溶剂，退火气氛种类，退火时间，热场处理等对聚合物形态的影响。

At last, the effect of rapid thermal annealing on the electrical properties of HEMT material is studied.

最后我们研究了快速退火对HEMT材料电学性能的影响。

对所述金属进行热退火形成金属硅化物层。

碳纳米管的氧化铝模板法合成及其退火效应研究

CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定

离子注入硅的碘钨灯快速热退火温度计算

快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响

单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型

预估CMOS器件辐照后热退火效应的加速实验方法

Polycrystalline Silicon Films Prepared by Rapid Photo-thermal Annealing

快速光热退火制备多晶硅薄膜

Influence of Thermal Annealing on the Structural and Optical Properties of Si-rich Silicon Nitride

退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响

Study on Polycrystalline Silicon Films Prepared by Rapid Photo-thermal Annealing

用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究

Study on the Mechanism of Amorphous Silicon Film Prepared by Rapid Thermal Annealing Process

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同义词

加温退火；热处理（退火）
thermal treatment thermal processing