本论文以单一金属结点接触实验探讨环境对库伦阻塞现象的影响。
随着耗散电阻的增大，库仑阻塞现象更加明显。
产生这种现象的原因，可能是由于库仑阻塞效应和小尺寸效应引起的。
有源介观耗散电路的库仑阻塞效应
介观耗散电容耦合电路的库仑阻塞效应
库仑阻塞；量子隧穿（包括共振隧穿和单电子隧穿）
介观电容耦合电路中的库仑阻塞和量子涨落
介观互感耦合电路的量子化和库仑阻塞效应
由电容器电容到库仑阻塞
基于库仑阻塞原理的多值存储器