当然，这在生产方面如果粒状多晶硅的质量都没有达到及格，繁重的任务将是毫无意义的。
定向凝固工艺是物理冶金法制备太阳能级多晶硅的一个重要环节。
当前中国多晶硅企业在该材料供应过剩的情况下仍大幅提高产量，政府在此背景下出台了进口禁令。
但是只是领导制造，中国的太阳能技术来源半数的多晶硅来之中国以外，而且30%来自美国。
回到技术方面，雷斯打破了当谈到多晶硅常见的质量疑虑。
还原工艺的成熟程度是决定多晶硅产量和产品质量的核心所在。
这在很大程度上是多晶硅生产规模大幅提升引发太阳能电池板价格下跌的反应。
晶体管可以形成为具有被电介质覆盖的第一多晶硅层。
与传统的大型多晶硅太阳能电池相比，它的质量更好更便宜。
当时多晶硅价格飙升，2008年涨价到每公斤450美元，一年之内涨了10倍。
多晶硅化金属层设置于杂质掺杂多晶硅层上，而多晶硅化金属层与多晶硅层可作为字线。
本发明涉及一种由四氯化硅制取三氯氢硅的方法，属于多晶硅生产领域。
在衬底上形成第二多晶硅层，以便第二多晶硅层填充凹部。
多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长，起内吸杂作用。
OCI在多晶硅产能上的大幅提升充分展示了其为了占领高纯度多晶硅市场的决心。
所述多晶硅瓦片的用意是减少场效氧化物在紧密间隔的有源区之间的侵蚀。
然后，在衬底上形成第一多晶硅层，以便第一多晶硅层填充开口。
国内外生产多晶硅的主要方法，并对改良西门子法做简要描述。
本发明公开一种多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法。
第一多晶硅层的上部被除去，以便空隙扩大到凹部，以及凹部被露出。
研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益-温度依赖关系，而且还具有较快的工作速度。
价格下跌的原因是，多晶硅和成品面板产能过剩，以及中国生产成本低廉。
多晶硅常用在被称作门的晶体管元件中，已在标准的芯片制造工艺中使用了几十年。
传感器结构由两对交叉的梳状铝电极，每个为21根铝条，以及60根多晶硅加热条组成。
接着，通过一分光器将一光源分成一第一光束及一用以照射于第一多晶硅区的一第二光束。
随着中国数十家新建多晶硅生产商开工运营，太阳能板价格下跌，今年的形势随之发生变化。
继而经由一化学气相沉积制程沉积一氧化物层于该多晶硅层上以充填该沟槽。
提出了一种新型多晶矽薄膜热膨胀系数的在线测试结构。